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**Zoom sur l’actualité 2018

Conférence « Le mètre, l'aventure continue... » le 17 mai à Paris

Tandis que l’année 2018 sera marquée par la redéfinition du Système international d’unités (SI) le LNE vous invite, le 17 mai 2018 à Paris, à une conférence grand public dédiée au mètre.

Chercheur au sein du Laboratoire commun de métrologie LNE-LCM/Cnam, Marc HIMBERT, animera cette première conférence intitulée « Le mètre, l'aventure continue... » afin de vous faire (re)découvrir l’histoire et la définition de cette unité, ainsi que la place qu’elle occupe dans notre quotidien.

En savoir plus sur la conférence

Informations pratiques :
Jeudi 17 mai de 18 h 30 à 20 h 00
LNE - 1, rue Gaston Boissier - Paris 15ème
Entrée libre dans la limite des places disponibles (pièce d’identité obligatoire)

Cette conférence s’inscrit dans le cadre du cycle de conférences « Les jeudis de la mesure » organisé par le LNE sur le thème « évolution des unités de mesure : une révolution ? » et consacré aux sept unités de base du Système international d’unités.

Rapport recherche 2017 du LNE, une année d’excellence scientifique

Tandis que se profile la prochaine Conférence générale des poids et mesures, le LNE a pleinement assuré sa mission de pilote de la métrologie française dans le cadre des remarquables travaux menés par les laboratoires du RNMF pour la redéfinition du Système international d’unités (SI). Impliqués dans la redéfinition de trois des sept unités de base, les chercheurs du LNE se sont notamment illustrés cette année sur la détermination de la constante de Boltzmann (afin de définir le kelvin) et de la constante de Planck (pour définir le kilogramme).

Le prix LNE de la recherche 2017 a également été l’occasion de mettre en lumière les exceptionnels résultats de trois chercheurs du laboratoire LNE-SYRTE sur le temps-fréquence qui contribuent de façon majeure à la réalisation de la seconde et à sa dissémination sur le plan international.

Consultez le rapport recherche LNE 2017

Mardi 23 janvier, soutenance de thèse portant sur les jonctions tunnel à base d'hétérostructures à semi-conducteurs III-V pour les cellules solaires multi-jonction

Kévin LOUARN présentera sa thèse de doctorat intitulée « Etude et réalisation de jonctions tunnel à base d'hétérostructures à semi-conducteurs III-V pour les cellules solaires multi-jonction à très haut rendement» le mardi 23 janvier 2018 au LAAS à Toulouse.

Résumé : L’architecture des cellules solaires multi-jonction permet d’obtenir des records de rendement de conversion photovoltaïque, pouvant aller jusqu’à 46%. Leurs sous-cellules sont chacune conçues pour absorber une partie bien définie et complémentaire du spectre solaire, et sont connectées en série par des jonctions tunnel. La fabrication de cellules solaires tandem InGaP/GaAs d’énergies de bande interdite (« band gap ») 1,87 eV/1,42 eV accordées en maille sur substrat GaAs est bien maîtrisée, et de très hauts rendements peuvent être obtenus en ajoutant une ou deux sous-cellules de plus petit « gap » (1 eV et 0,7eV). Pour cela, les matériaux « petits gaps » fabriqués par Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM) doivent être développés ainsi que des jonctions tunnel présentant une faible résistivité électrique, une haute transparence optique et de bonnes propriétés structurales. La croissance EJM et la modélisation de jonctions tunnel GaAs nous a permis d’identifier le mécanisme d’effet tunnel interbande plutôt que le mécanisme d’effet tunnel assisté par les défauts comme mécanisme dominant du transport dans ces structures. Nous avons exploité l’hétérostructure de type II fondée sur le système GaAsSb/InGaAs pour favoriser ce mécanisme d’effet tunnel interbande, et donc obtenir des jonctions tunnel de très faible résistivité tout en limitant la dégradation des propriétés optiques et structurales des composants inhérente à l’utilisation de matériaux « petits gaps » et désaccordés en maille GaAsSb et InGaAs. De plus, nous avons conçu une structure innovante d’hétérojonction tunnel de type II AlGaInAs/AlGaAsSb sous la forme de tampon graduel pour l’incorporation d’une sous-cellule métamorphique à 1 eV. Plusieurs candidats pour le matériau absorbeur à 1 eV à base de nitrure dilué InGaAsN(Bi) ont alors été développés et caractérisés, le contrôle de l’accord de maille étant assuré par un suivi en temps réel de la courbure de l’échantillon pendant la croissance EJM. Des premières cellules solaires III-V à base de GaAs, de nitrure dilué à 1 eV et de GaInAs métamorphique ont été fabriquées afin de valider les architectures développées de jonctions tunnel. Ce travail a permis de démontrer le potentiel de l’hétérostructure de type II GaAsSb/InGaAs pour répondre aux principaux défis de conception et de fabrication des cellules solaires multi-jonction sur substrat GaAs, que ce soit au niveau de la jonction tunnel ou au niveau de l’incorporation des sous-cellules de gap 1 eV.

Date et lieu de la soutenance : Mardi 23 janvier 2018, au LAAS, 7 Avenue du Colonel Roche, 31400 Toulouse.

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